教授 纳米科学与应用研究院
张保平,兰州大学物理系学士,中国电子科技集团第十三研究所硕士,日本东京大学应用物理博士。1994-2005年在日本理化学研究所(RIKEN)和夏普公司工作。曾任闽江学者特聘教授,厦门大学电子科学与技术学院副院长,2023年任南方科技大学纳米科学与应用研究院长聘教授。兼任“Semiconductor Science and Technology”执行编辑、“Nano-Micro Letters”编委、GaN领域主要国际、国内会议的程序委员会成员、教育部“紫外光发射材料与技术”等重点实验室学术委员会成员等多重身份。
张教授长期从事半导体相关的研究工作,包括InP,GaAs,ZnSe,ZnO等。2006回国以来主要进行第三代半导体GaN材料与器件研究,特别是蓝绿光垂直腔面发射激光器(VCSEL)等,是大陆唯一研制出该器件的课题组负责人,并且在绿色VCSEL方面处于国际先进水平。采用量子点,将该器件的发光波长从国际上报道的503 nm延伸到了565 nm,并实现了室温连续激射,阈值电流达到国际最好;发明了利用蓝光量子阱中局域态和谐振腔模式相耦合,实现绿光VCSEL的新方法;首次在InGaN量子阱中实现了激子极化激元的室温激射;首次实现深紫外波段VCSEL(276 nm)。
至今发表论文200余篇,授权发明专利20余项。
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研究领域
半导体光电子学、宽禁带半导体、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、LED、太阳能电池、低维结构等。
学术成果 查看更多
- Ou, Y. Mei, H. Long, Y. K. Wang, T. Yang, Y. H. Chen, L. Y. Ying, Z. M. Zheng and B. P. Zhang, “Orthogonally and linearly polarized green emission from a semipolar InGaN based microcavity” Nanophotonics, 13(2023):75-83.
- Yang, Y. H. Chen, Y. C. Wang, W. Ou, L. Y. Ying, Y. Mei, A. Q. Tian, J. P. Liu, H. C. Guo and B. P. Zhang,”Green Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on InGaN Quantum Dots and Short Cavity“, Nano-Micro Letters, 15(2023): 223.
- Hou, T. Yang, S. S. Fan, H. Xu, D. Lida, Y. J. Liu, Y. Mei, G. E. Weng, S. Q. Chen, Weng,
- P. Zhang and K. Ohkawa, “Optical properties of InGaN-based red multiple quantum wells“, Applied physics letters, 26(2022): 120.
- M. Zheng, Y. K. Wang, J. Hoo, S. P. Guo, Y. Mei, H. Long, L. Y. Ying, Z. W. Zheng and B. P. Zhang*“High-quality AlGaN epitaxial structures and realization of UVC vertical cavity surface-emitting lasers”, SCIENCE CHINA Materials, 66(2023)1978-1988.
- L. Lin, Y. Man, Z. Y. Lv, B. P. Zhang, H. Xu, D. Q. Yu, X. C. Yang, Y. He, X. W. Shi, L. Y. Ying and D. Zhang*, “High-Gain of NdIII Complex Doped Optical Waveguide Amplifiers at 1.06 and 1.31µm Wavelengths Based on Intramolecular Energy Transfer Mechanism“, Advanced Materials, 35(2023):2209239.
- Yuan, M. K. Zhang, Z. Fu, S. Han, Y. N. Zhang, S. X.Wu, R. D. Hong, X. P. Chen, B. P. Zhang,J. Chen Wang and F. Zhang, “Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Photodetectors Based on Al Nanoparticle in 4H-SiC Microholes“, ACS Appl. Nano Mater, 6(2023) :11.
- Mei, M. C. Xie, T. Yang, X. Hou, W. Ou, H. Long, L. Y. Ying, Y. J. Liu, G. E. Weng, S. Q. Chen and B. P. Zhang, “Improvement of the Emission Intensity of GaN-Based Micro-Light Emitting Diodes by a Suspended Structure”, ACS Photonics 2022, 9, 3967−3973.
- Mei, M. C. Xie, H. Long, L. Y. Ying, B. P. Zhang, “Low threshold GaN-based microdisk lasers on Silicon with high Q factor“, J. Lightwave Technology, 40.9 (2022): 2952-2958.
- (特邀)王玉坤,郑重明,龙浩,梅洋,张保平,“氮化物垂直腔面发射激光器的发展与挑战”,光子学报,2 (2022): 0251203.
- Yang, H. Xu, H. Long, L. Y. Ying, R. H. Luo, M. J. Zhong, W. R. Lu, X. Hou, Y. Mei, B. P. Zhang, “GaN-Based Green Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes with Al mirror and copper plate“, Optics Letters, 47.11 (2022): 2858-2861.
- Ou, Y. Mei, Daisuke Iida, H. Xu, M. C. Xie, Y. W. Wang, L. Y. Ying, B. P. Zhang, Kazuhiro Ohkawa, “InGaN-Based Orange-Red Resonant Cavity Light-Emitting Diodes“,J.Lightwave Technology, 40.13 (2022): 4337-4343.
- Hou, S. S. Fan, H. Xu, Daisuke Iida, Y. J. Liu, Y. Mei, G. E. Weng, S. Q. Chen B. P. Zhang, K. Ohkawa, “Optical properties of InGaN-based red multiple quantum wells“, Applied Physics Letters, 120.26 (2022): 261102.
- Mei, Y. H. Chen, L.Y. Ying, A. Q. Tian, G. E. Weng, H. Long, J. P. Liu and B. P. Zhang, “Dual-wavelength switching in InGaN quantum dot micro-cavity light-emitting diodes“, Optics Express, 30.15 (2022): 27472-27481.
- R. Luo, B. P. Zhang, Y. H. Lu, Y. Mei and L. Shen, “Advances in application of ultraviolet irradiation for biofilm control in water and wastewater infrastructure“, Journal of Hazardous Materials, 421 (2022): 126682.
- Mei, Y. H. Chen, L. Y. Ying, Z. W. Zheng, H. Long, B. P. Zhang, “High Q factor Electrically Injected Green Micro Cavity“, J. Lightwave Technology, 39.9 (2021): 2895-2900.
- M. Zheng, Y. Mei, H. Long, H. Jason, S. P. Guo, Q. X. Li, L.Y. Ying, Z. W. Zheng and B. P. Zhang, “AlGaN-based deep ultraviolet vertical cavity surface emitting laser“, IEEE Electron Device Letters, 42.3 (2021): 375-378.
- Mei, T. R. Yang, W. Ou, Z. M. Zheng, H. Long, L. Y. Ying, B. P. Zhang, “Low-threshold wavelength-tunable ultraviolet vertical-cavity surface-emitting lasers from 376 to 409 nm“, Fundamental Research, 1.6 (2021): 684-690.
- Hou, S. S. Fan, D. Iida, Y. Mei, B. P. Zhang*, K. Ohkawa, “Photoluminescence of InGaN-based red multiple quantum wells“, Optics Express, 29.19 (2021): 30237-30243.
- J. Z.Wu, H. Long*, X. L. Shi, S. Luo, Z. H. Chen, Z. C. Feng, L. Y. Ying, Z. W. Zheng and B. P. Zhang, “Polariton lasing in InGaN quantum wells at room temperature“, Opto-Electron Adv, 2.12 (2019): 190014-1.
- (Invited) Mei, R. B. Xu, L. Y. Ying, J. P. Liu, Z.W. Zheng, H. Long, B. P. Zhang, “Room temperature continuous wave lasing of GaN-based greenvertical-cavity surface-emitting lasers“, Gallium Nitride Materials and Devices XIV, 10918 (2019): 109181H; SPIE OPTO, 2019, San Francisco, California, United States
- P.O. Nyangaresi, Y. Qin, G. L. Chen, B. P. Zhang, Y. H. Lu, and L. Shen “Comparison of the performance of pulsed and continuous UVC-LED irradiation in the inactivation of bacteria”, Water Research, 157 (2019): 218-
- P.O. Nyangaresi, Y. Qin, G. L. Chen, B. P. Zhang, Y. H. Lu, and L. Shen, “Effects of single and combined UV-LEDs on inactivation and subsequent reactivation of E. coli in water disinfection“, Water Research, 147 (2018): 331-341.
- (REVIEW) H. C.Yu, Z. W. Zheng, Y. Mei, R. B. Xu, J. P. Liu, H. Yang, B. P. Zhang, T. C. Lu, and H. C. Kuo, “Progress and prospects of GaN-based VCSEL from near UV to green emission“, Progress in Quantum Electronics, 57 (2018): 1–19.
- Y.Mei, G. E. Weng, B. P. Zhang, J. P. Liu, W. Hofmann, L. Y. Ying, J. Y. Zhang, Z. C. Li, H. Yang and H. C. Kuo, “Quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers covering the “green gap”“, Light: Science & Applications. 6.1 (2017): e16199.
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【岗位名称】研究人员(如科研助理、研究副教授、高级访问学者等)
【岗位职责】
1、研究内容:GaN半导体激光器件、新型LED等光电子器件相关的材料、制备、测试和应用;
2、与课题组负责人共同制定研究计划,协助开展课题研究;
3、协助课题组团队建设和管理。
【岗位要求】
具有物理学,微电子,光学工程或材料科学等相关学科背景,本科毕业以上学历;工作细心负责,有吃苦耐劳和团结合作精神,乐于学习新技术,有较强的动手能力;良好的英文文献阅读、沟通和写作能力;身体健康,全时全职在岗工作。
本单位将根据受聘人的条件,按照学校政策安排相应的工作岗位(如科研助理、研究副教授、高级访问学者等)并提供有竞争力的薪资待遇。
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