研究助理教授 量子研究院

李彬,量子研究院研究助理教授,硕士生导师。李博士是深圳市引进的海外高层次人才,孔雀计划获得者。他具有非常丰富的科研经历,曾在中国科学院工作5年,并于香港大学取得物理博士学位。研究背景主要为表面物理,量子薄膜材料,半导体光电材料以及超高真空技术等等。曾首次利用分子束外延方法成功生长出具有rhomobohedral结构的V-VI族化合物Sb2Se3并发现了由于界面效应导致其发生拓扑相变的实验证据。目前此工作获得了国家自然科学基金的支持,正在进一步开展中。李博士自从入职南科大以来,主要从事量子薄膜材料的生长与研究,目前已撰写了多篇论文并提交两项PCT国际专利。自主设计并搭建了两套分子束外延系统,并参与搭建了我校第一台自旋成像角分辨光电子能谱,与此同时,这三个系统已通过真空互联技术连接在了一起,可以实现原位生长与电子结构表征。

个人简介

研究领域

分子束外延技术以及超高真空表征技术(ARPES,STM,LEED/Auger等)

薄膜量子材料生长与表征,包括拓扑绝缘体、磁性薄膜材料、二维材料等

磁、电、光物理性质表征以及系统研发


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论文及专利

[1] Yipu Xia, Bo Wang, Junqiu Zhang, Yue Feng, Bin Li, Xibiao Ren, Hao Tian, Jinpeng Xu, Wingkin Ho, Hu Xu, Chang Liu, Chuanhong Jin and Maohai Xie*, Hole doping in epitaxial MoSe2 monolayer by nitrogen plasma treatment, 2D Materials, 5(4): 041005, (2018).

[2] B. Li, W.G. Chen, X. Guo, W. K. Ho, X.Q. Dai, J.F. Jia, M. H. Xie*, Strain in Epitaxial High-Index Bi2Se3(221) Films Grown by Molecular-Beam Epitaxy, Applied Surface Science 396, 1825-1830 (2017).

[3] B. Li, Y. P. Xia, W. K. Ho, M. H. Xie*, Suspended Ga2Se3 Film and Epitaxial High-index Bi2Se3 on GaSb(001) by Molecular-Beam Epitaxy, Journal of Crystal Growth 459, 76-80 (2017).

[4] B. Li, Q. S. Lu, S. G. Xu, Y. P. Xia, W. K. Ho, N. Wang, C. Liu*, M. H. Xie*, Induced robust topological order on an ordinary insulator hetero-structured with a strong topological insulator, arXiv:1611.04688 [cond-mat.mtrl-sci].

[5] P. Shang, X. Guo, B. Zhao, X. Dai*, B. Li, J. Jia, Q. Li*, M. Xie*, Nanoclusters of CaSe in calcium-doped Bi2Se3 grown by molecular-beam epitaxy, Nanotechnology 27, 085601 (2016).

[6] B. Li, X. Guo, W. K. Ho, M. H. Xie*, Strain in epitaxial Bi2Se3 grown on GaN and graphene substrates: A reflection high-energy electron diffraction study, Applied Physics Letters 107, 081604 (2015).

[7] W. He, S. L. Lu, J. R. Dong*, Y. M. Zhao, X. Y. Ren, K. L. Xiong, B. Li, H. Yang, H. M. Zhu, Y. Chen, X. Kong, Structural and optical properties of GaInP grown on germanium by metalorganic chemical vapor deposition, Applied Physics Letters 97, 121909 (2010).

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