助理教授(博导) 电子与电气工程系   课题组网站

陈晓龙,2010年本科毕业于中国科学技术大学少年班学院,2014年博士毕业于香港科技大学物理系,分别在剑桥大学电气工程系、耶鲁大学电气工程系从事博士后研究工作,2018年9月加入南方科技大学电子与电气工程系。陈晓龙博士在黑磷、石墨烯、过渡金属硫族化物等二维材料微电与光电器件领域做出一系列开拓性工作,在Nature Communications,Science Advances, Nano Today, ACS Nano,Advance Materials等国际权威期刊发表论文30多篇,被引用1000多次,H-index为16。

个人简介

研究领域

二维材料微电器件,如晶体管,量子电容器;

二维材料光电器件,如光电探测器,发光二极管,量子发光二极管;

二维材料器件物理;

二维材料电学、光学特性。


教学

本科生教学:模拟电路(英文班);

研究生教学:电子功能材料与器件。

获2019年第四届青年教师教学竞赛特等奖。


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代表论文(更新至2019年12月):

1. X. Chen(通讯作者), Z. Zhou, B. Deng, Z. Wu, F. Xia, Y. Cao, L. Zhang, W. Huang, N. Wang, L. Wang, “Electrically tunable physical properties of two-dimensional materials”, Nano Today, 27, 99, 2019.

2. L. Zhang, L. Y. Shao, G. Gu, T. Wang, X. W. Sun, X. Chen (通讯作者), “Type-switchable inverter and amplifier based on high performance ambipolar black-phosphorus transistors”, Advanced Electronic Materials, 1900133, 2019.

3. C. Chen, X. Chen (共同第一作者), H. Yu, Y. Shao, Q. Guo, B. Deng, S. Lee, C. Ma, K. Watanabe, T. Taniguchi, J.G. Park, S. Huang, W. Yao, F. Xia, “Symmetry-Controlled Electron-Phonon Interactions in van der Waals Heterostructures”, ACS Nano, 13, 552, 2019.

4. C. Chen, X. Chen (共同第一作者), Y. Shao, B. Deng, Q. Guo, F. Xia, “Valley-selective Linear Dichroism in Layered Tin Sulfide”, ACS Photonics, 5, 3814, 2018.

5. X. Chen, Chen, Chen, Adi Levi, Lothar Houben, Bingchen Deng, Shaofan Yuan, Chao Ma, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Doron Naveh, Xu Du, and F. Xia, “Large-velocity saturation in thin-film black phosphorus transistors”, ACS Nano, 12, 5003, 2018.

6. X. Chen, X. Lu, B. Deng, O. Sinai, Y. Shao, C. Li, S. Yuan, V. Tran, K. Watanabe, T. Taniguchi, D. Naveh, L. Yang, and F. Xia, “Widely tunable black phosphorus mid-infrared photodetector”, Nature Communications, 8, 1672, 2017.

7. X. Chen, Y. Wu, Z. Wu, Y. Han, S. Xu, L. Wang, W. Ye, T. Han, Y. He, Y. Cai, and N. Wang, “High quality sandwiched black phosphorus heterostructure and its quantum oscillations”, Nature Communications, 6, 7315, 2015.

8. X. Chen, Z. Wu, S. Xu, L. Wang, R. Huang, Y. Han, W. Ye, W. Xiong, T. Han, G. Long, Y. Wang, Y. He, Y. Cai, P. Sheng, and N. Wang “Probing the electron states and metal-insulator transition mechanisms in atomically thin molybdenum disulphide vertical heterostructures”, Nature Communications, 6, 6088, 2015.

9. X.Chen, L. Wang, Y. Wu, H. Gao, Y. Wu, G. Qin, Z. Wu, Y. Han, S. Xu, T. Han, W. Ye, J. Lin, G. Long, Y. He, Y. Cai, W. Ren, and N. Wang, “Probing the electronics states and impurity effects in black phosphorus vertical heterostructures”, 2D Materials, 3, 015012, 2016.

10. X. Chen, L. Wang, W. Li, Y. Wang, Z. Wu, M. Zhang, Y. Han, Y. He, and N. Wang, “Electron-electron interactions in monolayer graphene quantum capacitors”, Nano Research, 6(7), 619-626, 2013.

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